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本技术公开了一种选择发射极双面topcon结构,包括正面银铝电极、背面银电极、掺硼多晶硅层、第一隧穿氧化层;以及,由一面至另一面依次连接的:第一氮化硅层、氧化铝层、掺硼层、N型硅基体、第二隧穿氧化层、掺磷多晶硅层、第二氮化硅层。本申请中正面...该专利属于和光同程光伏科技(宜宾)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过和光同程光伏科技(宜宾)有限公司授权不得商用。
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本技术公开了一种选择发射极双面topcon结构,包括正面银铝电极、背面银电极、掺硼多晶硅层、第一隧穿氧化层;以及,由一面至另一面依次连接的:第一氮化硅层、氧化铝层、掺硼层、N型硅基体、第二隧穿氧化层、掺磷多晶硅层、第二氮化硅层。本申请中正面...