选择发射极双面topcon结构制造技术

本技术公开了一种选择发射极双面topcon结构，包括正面银铝电极、背面银电极、掺硼多晶硅层、第一隧穿氧化层；以及，由一面至另一面依次连接的：第一氮化硅层、氧化铝层、掺硼层、N型硅基体、第二隧穿氧化层、掺磷多晶硅层、第二氮化硅层。本申请中正面银铝电极与N型硅基体不直接接触，与掺硼多晶硅层进行接触，然后通过第一隧穿氧化层进行载流子的隧穿传输；背面银电极与掺磷多晶硅层进行接触，然后通过第二隧穿氧化层进行载流子的隧穿传输；而且只有金属电极处有topcon电子遂穿结构，为选择性发射极结构，有效改善电池的钝化且不影响非发射极区域，并且通过这样的结构设计来降低正面接触电阻。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池，尤其涉及一种选择发射极双面topcon结构。

技术介绍

1、tunnel oxide passivated contact(topcon)隧穿氧化硅钝化接触技术为当今太阳能电池发展中较成熟以及各项指标较好的技术，如今全国各光伏企业在大规模扩产，主要是背面采用topcon结构来减少背面金属电极与硅基体接触导致的复合损失，以及接触处的接触电阻。使载流子的传输变成隧穿传输，有效的减小接触电阻，从而提高电池片的效率。

2、当前量产中的topcon太阳能电池主要是背面采用topcon结构，然而正面依然是金属与硅基体直接接触，所以导致正面的接触电阻过大，由此双面topcon技术需要导入应用，然而正面沉积多晶硅层后二次硼扩散工艺困难，导致无法进行量产。

3、太阳能电池由一种半导体材料组成，它从电磁波谱中吸收光子，并产生负电子(n)和极性相反的正空穴(p)，它们的流动产生光电流。载流子分离是由相邻吸收剂中空穴和电子之间的选择性接触形成的电化学梯度引起的。通过选择性地掺杂吸收剂(同质结)或导体的另一半(异质结)来实现这种接触的目本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.选择发射极双面topcon结构，其特征在于，包括：

【技术特征摘要】

1.选择发射极双面topco...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯杰，谢毅，
申请(专利权)人：和光同程光伏科技宜宾有限公司，
类型：新型
国别省市：