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基于薄膜铌酸锂材料的紧凑低串扰多模弯曲波导制造技术
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下载基于薄膜铌酸锂材料的紧凑低串扰多模弯曲波导的技术资料
文档序号:41765390
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一种基于薄膜铌酸锂材料的紧凑低串扰多模弯曲波导,包括:二氧化硅埋氧层位于其上的180°多模弯曲铌酸锂脊波导,其中:铌酸锂脊波导的宽度为2.6μm深度为0.3μm,本发明基于n参数可调复合曲线设计其波导形状,在输入TE<subgt;0&...
该专利属于上海交通大学所有,仅供学习研究参考,未经过上海交通大学授权不得商用。
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