基于薄膜铌酸锂材料的紧凑低串扰多模弯曲波导制造技术

一种基于薄膜铌酸锂材料的紧凑低串扰多模弯曲波导，包括：二氧化硅埋氧层位于其上的180°多模弯曲铌酸锂脊波导，其中：铌酸锂脊波导的宽度为2.6μm深度为0.3μm，本发明专利技术基于n参数可调复合曲线设计其波导形状，在输入TE<subgt;0</subgt;模的情况下，在1500nm～1600nm的带宽内，对各高阶模式的串扰均小于‑18.78dB，其中在1520nm～1580nm的带宽范围内模间串扰低至‑23dB，180°弯曲波导的总损耗小于0.05dB，弯曲波导面积不超过100μm×50μm，满足薄膜铌酸锂多模弯曲波导的紧凑和低串扰特性，有助于推动片上薄膜铌酸锂器件的高集成度实现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种光通信器件领域的技术，具体是一种基于薄膜铌酸锂材料的紧凑低串扰多模弯曲波导。

技术介绍

1、近年来，铌酸锂加工工艺的改进推动了铌酸锂光学器件小型化和高密度集成。但铌酸锂的各向异性导致多模弯曲波导中模间串扰严重。传统的欧拉曲线和贝塞尔曲线设计在铌酸锂上效果有限，未能有效减少模间串扰。

技术实现思路

1、本专利技术针对现有薄膜铌酸锂波导无法加工的同时，现有技术无法在采用紧凑多模弯曲波导的情况下降低模间串扰的不足，提出一种基于薄膜铌酸锂材料的紧凑低串扰多模弯曲波导，基于n参数可调复合曲线设计其波导形状，在输入te0模的情况下，在1500nm～1600nm的带宽内，对各高阶模式的串扰均小于-18.78db，其中在1520nm～1580nm的带宽范围内模间串扰低至-23db，180°弯曲波导的总损耗小于0.05db，弯曲波导面积不超过100μm×50μm，满足薄膜铌酸锂多模弯曲波导的紧凑和低串扰特性，有助于推动片上薄膜铌酸锂器件的高集成度实现。

2、本专利技术是通过以下技术方案实现的：本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于X切薄膜铌酸锂材料的紧凑低串扰多模弯曲波导，其特征在于，包括：二氧化硅埋氧层位于其上的180°多模弯曲铌酸锂脊波导，其中：多模弯曲铌酸锂脊波导，其形状为圆弧线和位于两端的n参数可调曲线。

2.根据权利要求1所述的基于X切薄膜铌酸锂材料的紧凑低串扰多模弯曲波导，其特征是，所述的铌酸锂脊波导的宽度为2.6μm深度为0.3μm。

3.根据权利要求1所述的基于X切薄膜铌酸锂材料的紧凑低串扰多模弯曲波导，其特征是，所述的n参数可调曲线的曲率满足：其中：s表示曲线长度，θ(s,n)表示曲线切角，θ使用角度制，θ∈(0°,90°)，R(s)表示曲率半径，n为形状参数...

【技术特征摘要】

1.一种基于x切薄膜铌酸锂材料的紧凑低串扰多模弯曲波导，其特征在于，包括：二氧化硅埋氧层位于其上的180°多模弯曲铌酸锂脊波导，其中：多模弯曲铌酸锂脊波导，其形状为圆弧线和位于两端的n参数可调曲线。

2.根据权利要求1所述的基于x切薄膜铌酸锂材料的紧凑低串扰多模弯曲波导，其特征是，所述的铌酸锂脊波导的宽度为2.6μm深度为0.3μm。

3.根据权利要求1所述的基于x切薄膜铌酸锂材料的紧凑低串扰多模弯曲波导，其特征是，所述的n参数可调曲线的曲率满足：其中：s表示曲线长度，θ(s,n)表示曲线切角，θ使用角度制，θ∈(0°,90°)，r(s)表示曲率半径，n为形状参数，n∈(0,1)，当形状参数n取0时，曲线变成圆弧线；当形状参数n取1时，曲线变成欧拉曲线。

4.根据权利要求1或3所述的基于x切薄膜铌酸锂材料的紧凑低串扰多模弯曲波导...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹿琦，孙璐，苏翼凯，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：