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一种多芯片堆叠互连用钎料及其制备方法技术
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文档序号:41760704
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本发明公开了一种多芯片堆叠互连用钎料及其制备方法,钎料由如下质量百分比的组分组成:Bi含量30~40wt%,In含量2~5wt%,Ti含量0.2~0.8wt%,Si含量0.05~0.3wt%,其余为Sn。制备方法包括:1)将Bi锭、In锭和...
该专利属于常州大学所有,仅供学习研究参考,未经过常州大学授权不得商用。
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