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本发明公开了一种非易失性存储器，包括基底、多个掺杂区、第一栅极、导体层、第一接触窗插塞以及介电层。掺杂区配置于该基底中。第一栅极配置于相邻两掺杂区之间的基底上。导体层配置于第一栅极的上方。第一接触窗插塞配置于第一栅极与导体层之间。介电层配置...
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