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接合线及半导体装置制造方法及图纸
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文档序号:41757486
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本发明的接合线中,In的含量为0.005质量%以上且2.0质量%以下,选自Au和Pd中的1种或2种元素的含量的合计为0.005质量%以上且2.0质量%以下,选自Bi和Cu中的1种或2种以上元素的含量的合计为5质量ppm以上且500质量ppm...
该专利属于拓自达电线株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过拓自达电线株式会社授权不得商用。
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