接合线及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的接合线中，In的含量为0.005质量％以上且2.0质量％以下，选自Au和Pd中的1种或2种元素的含量的合计为0.005质量％以上且2.0质量％以下，选自Bi和Cu中的1种或2种以上元素的含量的合计为5质量ppm以上且500质量ppm以下，选自Ca、Mg、Ge、Y、Nd、Sm、Gd、La和Ce中的1种或2种以上元素的含量的合计为0质量ppm以上且500质量ppm以下，其余由Ag构成。由此，长期可靠性优异，可使FAB与电极接触而压扁时的形状成为良好的圆形。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及以ag(银)为主成分的接合线及半导体装置。

技术介绍

1、用于半导体元件上的电极与基板的电极的接线等的接合线通常非常细，因此由导电性良好且加工性优异的金属材料制造。特别是从化学稳定性、在大气中的处理容易性出发，以往广泛使用以au(金)为主成分的接合线。但是，以au为主成分的接合线的质量的99％以上为au，非常昂贵。

2、因此，也提出了以ag(银)为主成分的接合线。ag比au廉价，但以ag为主成分的接合线的长期可靠性、对周围温度的变化的耐性(热循环性)差。为了解决该问题，如下述专利文献1所示，提出了在主成分ag中添加in(铟)、ga(镓)、cd(镉)等元素来提高长期可靠性的接合线。

3、然而，在球焊中，将通过放电加热等而形成于接合线的前端的无空气球(以下简称为fab)挤压于电极并压扁后，赋予热能及振动能量而进行第一接合。在第一接合之后，将接合线的外周面挤压于另一个电极而进行第二接合。伴随着近年来的半导体元件的高密度化，电极的细间距化不断发展，要求在将fab挤压于电极而压扁时形成的第一接合部的形状控制为圆形来防止邻接的电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种接合线，其中，In的含量为0.005质量％～2.0质量％，选自Au和Pd中的1种或2种元素的含量的合计为0.005质量％～2.0质量％，选自Bi和Cu中的1种或2种以上元素的含量的合计为5质量ppm～500质量ppm，选自Ca、Mg、Ge、Y、Nd、Sm、Gd、La和Ce中的1种或2种以上元素的含量的合计为0质量ppm～500质量ppm，其余由Ag构成。

2.根据权利要求1所述的接合线，其中，选自Ca、Mg、Ge、Y、Nd、Sm、Gd、La及Ce中的1种或2种以上的元素的含量的合计为10质量ppm～500质量ppm。

3.根据权利要求1或2所述的接合线，其...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种接合线，其中，in的含量为0.005质量％～2.0质量％，选自au和pd中的1种或2种元素的含量的合计为0.005质量％～2.0质量％，选自bi和cu中的1种或2种以上元素的含量的合计为5质量ppm～500质量ppm，选自ca、mg、ge、y、nd、sm、gd、la和ce中的1种或2种以上元素的含量的合计为0质量ppm～500质量ppm，其余由ag构成。

2.根据权利要求1所述的接合线，其中，选自ca、mg、ge、y、nd、sm、gd、la及ce中的1种或2种以上的元素的含量的合计为10质量ppm～500质量ppm。

3.根据权利要求1或2所述的接合线，其中，in的含量相对于au和pd的含量的合计的比率为5以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的接合线，其中，必须含有bi和cu。

5.根据权利要求2所述的接合线，其中，选自ca、mg、ge、y、nd、sm、...

【专利技术属性】
技术研发人员：泷川圭美，棚桥央，
申请(专利权)人：拓自达电线株式会社，
类型：发明
国别省市：