温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及晶体生长技术领域，特别涉及一种碳化硅晶体及其生长方法和坩埚，这种方法包括将包含原料硅的含硅原料容置于容置件，将碳化硅籽晶设置于承载件，含硅原料在保护气体的保护下熔融生成含硅熔体，碳原料和籽晶均与含硅熔体接触，并在二者间施加第一电压...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。