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本发明公开了一种氧化镓n型掺杂的生长方法，ε相氧化镓制备技术，针对现有技术中ε相氧化镓n型掺杂的制备质量低等问题提出本方案。基于金属有机化学气相沉积法在衬底上二次生长以制备ε相的氧化镓层；其中第一次生长使用液态氧源制备非故意掺杂层，第二次生...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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