【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ε相氧化镓制备技术，尤其涉及一种氧化镓n型掺杂的生长方法。
技术介绍
1、氧化镓作为新一代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度达4.9ev，具有非常高的击穿电场(8mv/cm)和大的巴利加优值，在深紫外波段具有良好的透明度，因此氧化镓材料在大功率晶体管、日盲紫外光电探测器和气体传感器等应用中具有巨大的前景。氧化镓材料是制备下一代高功率电子器件极具希望的材料，已经被欧美等国作为下一代战略半导体材料。而氧化镓具有α、β、γ、δ、ε五种相，其中，β为最稳定的相，ε相为亚稳相。ε相氧化镓在z轴方向具有很强的自发极化，能够制备高电子迁移率晶体管；此外，ε相氧化镓在功率电阻器件方面也有很强的应用前景。
2、专利cn116752118a公开了一种纯相ε相氧化镓的制备方法，该专利能够在合适取相的衬底上生长高纯的ε相氧化镓薄膜；而研究文献(acta materialia，10.1016/j.actamat.2021.116848)提出在生长的非故意掺杂的ε相氧化镓薄膜表面沉积氧化锡，然后退火扩散来实现氧化镓的n型掺杂。
3...
【技术保护点】
1.一种氧化镓n型掺杂的生长方法，其特征在于，基于金属有机化学气相沉积法在衬底上二次生长以制备ε相的氧化镓层；其中第一次生长使用液态氧源制备非故意掺杂层，第二次生长使用气态氧源制备n型掺杂层。
2.根据权利要求1所述一种氧化镓n型掺杂的生长方法，其特征在于，所述液态氧源为去离子水。
3.根据权利要求1所述一种氧化镓n型掺杂的生长方法，其特征在于，所述气态氧源为笑气。
4.根据权利要求1所述一种氧化镓n型掺杂的生长方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石或硅或碳化硅。
5.根据权利要求4所述一种氧化镓n型掺杂的生长方法，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种氧化镓n型掺杂的生长方法，其特征在于，基于金属有机化学气相沉积法在衬底上二次生长以制备ε相的氧化镓层；其中第一次生长使用液态氧源制备非故意掺杂层，第二次生长使用气态氧源制备n型掺杂层。
2.根据权利要求1所述一种氧化镓n型掺杂的生长方法，其特征在于，所述液态氧源为去离子水。
3.根据权利要求1所述一种氧化镓n型掺杂的生长方法，其特征在于，所述气态氧源为笑气。
4.根据权利要求1所述一种...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。