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本公开提供了一种磁阻随机访问存储单元及其制备方法，存储单元包括：依次堆叠的基板、选通晶体管层、第一绝缘层、N个MTJ单元层，相邻MTJ单元层之间具有层间绝缘层；每个MTJ单元层至少包括底部金属层、磁性隧道结层、顶部金属层和位线金属层，第n个...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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