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公开了一种包含晶体管单元的半导体器件及其相关制备方法。所述半导体器件包括形成在具有第一导电类型的衬底上的第一源区、第一侧壁体区、栅区、第二源区以及连接区。所述第一源区和所述第二源区为第一导电类型，同时所述第一侧壁体区和所述连接区为与第一导电...
该专利属于成都芯源系统有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都芯源系统有限公司授权不得商用。

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