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本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包括隔离区和源漏电极区，所述隔离区的延伸方向与所述多个栅极结构相交；去除位于所述隔离区内的层间介质层和部分栅极结构，暴露栅极结构断面以及所述栅极结构底部的栅介质层；...
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