【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)的沟道长度也相应不断缩短。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，因此栅极结构对沟道的控制能力随之变差，栅极电压夹断(pinch off)沟道的难度也越来越大，使得亚阈值漏电(subthreshold leakage)现象，即所谓的短沟道效应(short-channel effects，sce)更容易发生。
2、因此，为了更好的适应特征尺寸的减小，半导体工艺逐渐开始从平面mosfet向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(finfet)。finfet中，栅极结构至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，与平面mosfet相比，栅极结构对沟道的控制能力更强，...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述切断区域暴露所述第二栅极结构底部的栅介质层。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：牺牲层，位于所述隔离区且覆盖所述隔离层，所述牺牲层的材料为氧化物，所述隔离结构的材料为氮化物。
4.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述隔离沟槽所暴露的初始隔离层上形成牺牲层，在所述栅极结构底部的栅介质层上形成隔离结构的步骤之后，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述切断区域暴露所述第二栅极结构底部的栅介质层。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：牺牲层，位于所述隔离区且覆盖所述隔离层，所述牺牲层的材料为氧化物，所述隔离结构的材料为氮化物。
4.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述隔离沟槽所暴露的初始隔离层上形成牺牲层，在所述栅极结构底部的栅介质层上形成隔离结构的步骤之后，还包括：
6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述基底还包括分立于所述衬底上的鳍部；所述初始隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁；所述栅极结构跨过所述鳍部，覆盖所述鳍部的顶部及部分侧壁；所述源漏结构形成在所述栅极结构两侧的鳍部内。
7.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提...
【专利技术属性】
技术研发人员：涂武涛，陈天锐，张辰睿，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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