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根据本发明，能够提供一种能够抑制高温环境导致的贵金属催化剂的迁移，防止温度性能的降低的技术。本发明所述的制造方法具有准备具有分隔多个腔室的分隔壁16并含有SiC的SiC基材10的基材准备工序，和在SiC基材10的分隔壁16的表面形成至少含有...
该专利属于株式会社科特拉所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社科特拉授权不得商用。

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