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本发明属于半导体制造技术领域，尤其涉及一种减薄辅助氮化镓单晶的化学机械抛光方法。所述化学机械抛光方法包括步骤：S1.首先使用减薄机对氮化镓单晶的Ga面进行第一次减薄研磨200‑250μm和第二次减薄研磨150‑200μm；然后对氮化镓单晶的...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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