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本申请提供一种基于半导体薄膜的气体压力传感器芯片及其制备方法，涉及半导体器件制备技术领域。一种基于半导体薄膜的气体压力传感器芯片，包括：衬底硅片；半导体薄膜层，沉积于衬底硅片的上表面及下表面，其中沉积于衬底硅片的上表面的半导体薄膜层包含悬空...
该专利属于北京量子信息科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京量子信息科学研究院授权不得商用。

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