【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件制备，具体而言，涉及一种基于半导体薄膜的气体压力传感器芯片及其制备方法。
技术介绍
1、近年来，基于mems技术的真空计得到了迅速发展。然而，当前的薄膜型mems真空计均为两腔室结构，需要通过待测量腔和参考真空腔的压力差使感压薄膜发生形变，从而得到待测压力。并且，当前的薄膜型mems真空计要求薄膜具有承受两侧大范围压力差的能力，其工艺制备以及组装均较为复杂。
技术实现思路
1、根据本申请的一方面，提供一种基于半导体薄膜的气体压力传感器芯片，包括：衬底硅片；半导体薄膜层，沉积于衬底硅片的上表面及下表面，其中沉积于衬底硅片的上表面的半导体薄膜层包含悬空窗口，悬空窗口对应的衬底硅片的部分及沉积于衬底硅片的下表面的半导体薄膜层的部分已被刻蚀去除；金属薄膜层，沉积于悬空窗口的上表面；下基板硅片；第一电极和第二电极，分别沉积于下基板硅片的上表面相对的两端；以及连接模块，沉积于下基板硅片的上表面的边缘，且连接模块与第一电极和第二电极不相连，衬底硅片倒装后通过连接模块与下基板硅片连接。
2、根本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基于半导体薄膜的气体压力传感器芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的气体压力传感器芯片，其特征在于，所述半导体薄膜层的材料为氮化硅或碳化硅。
3.根据权利要求1所述的气体压力传感器芯片，其特征在于，所述悬空窗口的面积小于沉积于所述衬底硅片下表面的半导体薄膜层以及所述衬底硅片已被刻蚀去除的部分的截面面积。
4.根据权利要求1所述的气体压力传感器芯片，其特征在于，所述金属薄膜层的材料包括铝、铌、钛金属中的一种或多种，其面积小于所述悬空窗口的面积。
5.根据权利要求1所述的气体压力传感器芯片，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种基于半导体薄膜的气体压力传感器芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的气体压力传感器芯片，其特征在于，所述半导体薄膜层的材料为氮化硅或碳化硅。
3.根据权利要求1所述的气体压力传感器芯片，其特征在于，所述悬空窗口的面积小于沉积于所述衬底硅片下表面的半导体薄膜层以及所述衬底硅片已被刻蚀去除的部分的截面面积。
4.根据权利要求1所述的气体压力传感器芯片，其特征在于，所述金属薄膜层的材料包括铝、铌、钛金属中的一种或多种，其面积小于所述悬空窗口的面积。
5.根据权利要求1所述的气体压力传感器芯片，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的材料包括铝、铌、钛金属中的一种或多种，所述第一电极和所述第二电极的中间部分的总面积小于所述金属薄膜层的面积。
6.根据权利要求1所述的气体压力传感器芯片，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李铁夫，刘其春，王宇清，
申请(专利权)人：北京量子信息科学研究院，
类型：发明
国别省市：
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