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一种多晶硅栅极形成方法，包括：在基底上形成牺牲层；在所述牺牲层内形成沟槽，所述沟槽与基底之间夹有第一介质层；形成覆盖所述牺牲层及所述沟槽侧壁及底壁的第二介质层；刻蚀所述第二介质层，在所述沟槽侧壁形成具有弧面壁的侧墙；形成填充所述沟槽并覆盖所...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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