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一种栅极形成方法，包括，在基底上形成多晶硅层；执行所述多晶硅层的第一刻蚀操作；以包含溴基气体的刻蚀气体执行所述多晶硅层的第二刻蚀操作，形成栅极；若获得垂直于所述基底的栅极时，通入的所述溴基气体的流量为ａ↓［０］，则通入所述溴基气体时的流量ａ...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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