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一种掺杂区形成方法，包括：在基底上形成栅极；在具有所述栅极的基底上形成图形化的抗蚀剂层；以所述抗蚀剂层为掩模，对具有所述栅极的基底执行离子注入操作；利用缓冲气体去除所述抗蚀剂层，形成掺杂区。本发明还提供了一种阱区形成方法和一种基底图形化方法...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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