温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种在单晶硅基片表面制备Ｃｏ↓［３］Ｏ↓［４］复合薄膜的方法，先将单晶硅基片置于Ｐｉｒａｈａｎ溶液中９０℃下处理１小时，然后用去离子水超声清洗，置于防尘烘箱中干燥，再将其浸入硝酸钴溶液和氢氧化钠溶液，将该混合液和高温高压水并行流入反应容器，...
该专利属于上海第二工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海第二工业大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。