温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种可减小等离子体损伤效应的ＭＯＳ管，制作在硅衬底上，具有栅源漏极及分别与栅极和硅衬底连接的栅极金属垫和衬底金属垫。现有技术仅在栅极金属垫中设置金属跳线，当最小特征尺寸和栅氧厚度不断减小时，衬底金属垫上的等离子体损伤效应对ＭＯＳ管...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。