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本发明公开了一种高Q值异质集成可调制谐振腔芯片及其工艺实现方法，该芯片主要由薄膜铌酸锂谐振腔、输入锥形波导、耦合光波导、输出锥形波导、薄膜铌酸锂调制光波导、薄膜铌酸锂调制光波导输入端、薄膜铌酸锂调制光波导输出端、薄膜铌酸锂传输光波导、调制器...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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