一种高Q值异质集成可调制谐振腔芯片及其工艺实现方法技术

本发明专利技术公开了一种高Q值异质集成可调制谐振腔芯片及其工艺实现方法，该芯片主要由薄膜铌酸锂谐振腔、输入锥形波导、耦合光波导、输出锥形波导、薄膜铌酸锂调制光波导、薄膜铌酸锂调制光波导输入端、薄膜铌酸锂调制光波导输出端、薄膜铌酸锂传输光波导、调制器电极、谐振腔调制电极、键合层、衬底等构成。本发明专利技术在同一芯片上实现了光信号的调制、谐振、二次调谐，适用于光电振荡器等多功能集成芯片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微波光子集成领域，具体涉及一种高q值异质集成可调制谐振腔芯片及其工艺实现方法。

技术介绍

1、薄膜铌酸锂是一种新兴集成的光电材料，不仅继承了铌酸锂晶体优异的电光、声光、非线性特性，并且具有更强的光约束力，可以制备出各种性能优异的光学器件，比如光波导、电光调制器、谐振腔和光电探测器等，具有十分广阔的应用前景。

2、基于薄膜铌酸锂制备的电光调制器，是近几年的研究热点之一，可以实现对光信号的相位、幅度、强度以及偏振状态的调制。而基于薄膜铌酸锂制备的谐振腔，可以实现对光信号的高效谐振与存储。

3、将基于薄膜铌酸锂制备的电光调制器和谐振腔进行异质集成，可以在同一芯片上实现光信号的调制、谐振、二次调谐，有利于输出高质量、低相位噪声的微波信号，适用于光电振荡器等多功能集成芯片。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种高q值异质集成可调制谐振腔芯片及其工艺实现方法，在同一芯片上实现薄膜铌酸锂电光调制器和谐振腔的异质集成，从而实现光信号的调制、谐振、二次调谐。</p>

2、实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高Q值异质集成可调制谐振腔芯片，其特征在于，包括薄膜铌酸锂谐振腔(8)、输入锥形波导(5)、耦合光波导(6)、输出锥形波导(10)、薄膜铌酸锂调制光波导(2)、薄膜铌酸锂调制光波导输入端(1)、薄膜铌酸锂调制光波导输出端(4)、薄膜铌酸锂传输光波导(11)、调制器电极(3)、谐振腔调制电极(7)、键合层(9)和衬底(12)；

2.根据权利要求1所述的高Q值异质集成可调制谐振腔芯片，其特征在于，所述薄膜铌酸锂谐振腔(8)、薄膜铌酸锂调制光波导(2)、薄膜铌酸锂调制光波导输入端(1)、薄膜铌酸锂调制光波导输出端(4)、薄膜铌酸锂传输光波导(11)的材料为X切薄膜铌酸锂、Z...

【技术特征摘要】

1.一种高q值异质集成可调制谐振腔芯片，其特征在于，包括薄膜铌酸锂谐振腔(8)、输入锥形波导(5)、耦合光波导(6)、输出锥形波导(10)、薄膜铌酸锂调制光波导(2)、薄膜铌酸锂调制光波导输入端(1)、薄膜铌酸锂调制光波导输出端(4)、薄膜铌酸锂传输光波导(11)、调制器电极(3)、谐振腔调制电极(7)、键合层(9)和衬底(12)；

2.根据权利要求1所述的高q值异质集成可调制谐振腔芯片，其特征在于，所述薄膜铌酸锂谐振腔(8)、薄膜铌酸锂调制光波导(2)、薄膜铌酸锂调制光波导输入端(1)、薄膜铌酸锂调制光波导输出端(4)、薄膜铌酸锂传输光波导(11)的材料为x切薄膜铌酸锂、z切薄膜铌酸锂中的一种。

3.根据权利要求1所述的高q值异质集成可调制谐振腔芯片，其特征在于，所述薄膜铌酸锂谐振腔(8)为微盘谐振腔、环形谐振腔中的一种。

4.根据权利要求1所述的高q值异质集成可调制谐振腔芯片，其特征在于，所述键合层(9)包括为sio2、al2o3、bcb、环氧树脂、pmma材料中的一种。

5.根据权利要求1所述的高q值异质集成可调制谐振腔芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱广，李海波，孔月婵，陈堂胜，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：