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本发明涉及功率半导体技术领域，具体公开了分立式功率半导体器件封装结构及封装方法，其中结构包括：半导体芯片、金属引线框架，还包括门极键合线、异形金属引脚、塑封体、第一电热金属连接件、第二电热金属连接件和DCB；半导体芯片焊接在金属引线框架上；...
该专利属于重庆平创半导体研究院有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆平创半导体研究院有限责任公司授权不得商用。

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