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本发明提供一种栅介质层、MOSFET器件及其制备方法，所述栅介质层的材料由式A<subgt;α</subgt;Si<subgt;1‑α</subgt;O<subgt;γ</subgt;所表示，式中，A表示...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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