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双接触孔蚀刻停止层工艺制造技术
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文档序号:4166312
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一种双接触孔蚀刻停止层工艺,包括:提供基板,基板上具有第一元件区、第二元件区以及位于第一元件区与第二元件区之间的浅沟槽区;在基板上形成具有第一应力的第一应力诱发薄膜,第一应力诱发薄膜未覆盖第二元件区;以及在基板上形成具有第二应力的第二应力诱...
该专利属于联发科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联发科技股份有限公司授权不得商用。
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