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本发明公开了一种晶圆级芯片封装方法及其封装结构,该方法包括步骤:提供来料的芯片晶圆;制作第一介质层并形成有效通孔和无效通孔;在有效通孔内制作与芯片有实际电性连接的有效铜柱,在无效通孔内制作与芯片无实际电性连接的无效铜柱或后续用隔湿膜层的材料...该专利属于江苏芯德半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏芯德半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种晶圆级芯片封装方法及其封装结构,该方法包括步骤:提供来料的芯片晶圆;制作第一介质层并形成有效通孔和无效通孔;在有效通孔内制作与芯片有实际电性连接的有效铜柱,在无效通孔内制作与芯片无实际电性连接的无效铜柱或后续用隔湿膜层的材料...