一种晶圆级芯片封装方法及其封装结构技术

技术编号:41661331 阅读:22 留言:0更新日期:2024-06-14 15:22
本发明专利技术公开了一种晶圆级芯片封装方法及其封装结构,该方法包括步骤:提供来料的芯片晶圆;制作第一介质层并形成有效通孔和无效通孔;在有效通孔内制作与芯片有实际电性连接的有效铜柱,在无效通孔内制作与芯片无实际电性连接的无效铜柱或后续用隔湿膜层的材料填充;在第一介质层上形成隔湿膜层,隔湿膜层包覆有效铜柱的同时包覆无效铜柱或填充无效通孔;将隔湿膜层减薄裸露出有效铜柱顶端面;在隔湿膜层上制作第二介质层并使有效铜柱顶端面暴露;最后进行后续常规植球工艺。本发明专利技术在结构上增加隔湿膜层,来增强芯片封装体抵抗外界水汽等其他环境干扰因素侵入的能力,通过形成无效铜柱或者填充无效通孔以增加隔湿膜层的结合力,提供芯片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装,更具体涉及一种具有晶圆级芯片封装方法及其封装结构


技术介绍

1、电子产品的封装可以为集成电路芯片提供环境保护,使其免受外界环境的影响,以使集成电路芯片获得一个可以承受的工作环境,从而保证集成电路芯片能够稳定、可靠地工作,提高电子产品封装可靠性是整机产品最终质量保证的重要基础。

2、电子产品封装多采用塑料封装,由于塑封集成电路非气密性封装,其主要的缺点就是对潮气比较敏感。但要在电子产品封装时只漏入很少的水汽,并且在使用的过程中保持很低的水汽含量是比较困难的。水汽进入封装内部的原因有很多种,如密封泄露、封装过程中产生的水汽、甚至封装材料本身产生的水汽等。要使电子产品获得较高的可靠性、提高封装的气密性防止水汽侵蚀是基础。


技术实现思路

1、为了解决上述问题,本专利技术提供了一种晶圆级芯片封装方法及其封装结构,能增加芯片封装体抵抗外界水汽等其他环境干扰因素侵入的能力,缓解应力,提高封装层之间的结合力,提高产品可靠性。

2、根据本专利技术的一个方面,提供了一种晶圆级芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆级芯片封装方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.一种晶圆级芯片封装方法,其特征在于,包括以下步骤:

3.根据权利要求1或2所述的晶圆级芯片封装方法,其特征在于,所述步骤四中的具有隔湿性的薄膜选用ABF膜。

4.根据权利要求1或2所述的晶圆级芯片封装方法,其特征在于,所述步骤二中的无效通孔(22)的孔形为圆形、或矩形、或多边形,所述无效通孔(22)分布于有效焊区(11)的周围。

5.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法,其特征在于,所述步骤二中的无效通孔(22)包围有效焊区(11),且各个所述有效焊区(11)之间的第一介质层(2...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆级芯片封装方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.一种晶圆级芯片封装方法,其特征在于,包括以下步骤:

3.根据权利要求1或2所述的晶圆级芯片封装方法,其特征在于,所述步骤四中的具有隔湿性的薄膜选用abf膜。

4.根据权利要求1或2所述的晶圆级芯片封装方法,其特征在于,所述步骤二中的无效通孔(22)的孔形为圆形、或矩形、或多边形,所述无效通孔(22)分布于有效焊区(11)的周围。

5.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法,其特征在于,所述步骤二中的无效通孔(22)包围有效焊区(11),且各个所述有效焊区(11)之间的第一介质层(2)被无效通孔(22)分割。

6.根据权利要求1所述的封装方法制得的一种晶圆级芯片封装结构,包括芯片晶圆(1),所述芯片晶圆(1)的正面具有有效焊区(11),其特征在于,所述芯片晶圆(1)的正面覆盖有第一介质层(2),所述第一介质层(2)上形成的有效通孔(21)暴露出有效焊区(11),所述有效通孔(21)处设有与有效焊区(11)互联的有效铜柱(3),所述第一介质层(2)上覆盖有隔湿膜层(4),所述隔湿膜层(4)包围有效铜柱(3),且所述隔湿膜...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵玥谢雨龙张中张卫张福森程钱钱
申请(专利权)人:江苏芯德半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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