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本申请公开了一种具备高温储能且耐电刻蚀的含硅杂环芳纶薄膜及其制备方法，涉及电气绝缘材料技术领域，该方法包括：使高能隙二胺单体和有机硅二胺单体共溶于有机盐溶液中，得到反应液；向反应液中依次加入至少一种摩尔比例的二酰氯单体，进行聚合反应后，得到...
该专利属于四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学授权不得商用。

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