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本发明提供了一种半导体结构的制备方法，应用于半导体技术领域，具体包括：提供衬底，在衬底上形成第一开口和第二开口，第二开口内填充部分第一填充层，在第一开口和所述填充后的第二开口内填充第二填充层，在本发明利用一步刻蚀工艺同步形成的第一开口和第二...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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