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本申请提供的表面等离激元增强AlGaN基LED，包括衬底、AlN缓冲层、高Al组分的n型Al<subgt;n</subgt;Ga<subgt;1‑n</subgt;N电子注入层、Al<subgt;x</s...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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