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一种ＣＭＯＳ器件钝化层形成方法，通过在覆盖第一晶体管的第一钝化层上形成材料异于所述第一钝化层的介质层，继而，再形成覆盖所述介质层和第二晶体管且填充覆盖所述介质层后的第一应力体和所述第二应力体间的间隔区域的第二钝化层。可使具有不同应力类型的钝...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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