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一种半导体器件、ｎ型ＭＯＳ晶体管及其制作方法，其中半导体器件包括：半导体衬底；依次位于半导体衬底的输入／输出器件区域的栅介质层、栅极、以及侧墙；位于输入／输出器件区域的ｎ型ＭＯＳ晶体管区域和ｐ型ＭＯＳ晶体管区域的半导体衬底内的低掺杂源／漏区...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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