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本发明公开了一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法。根据所述激光器的外延片的生长方向依序包括：曲面介质膜DBR、谐振腔介质、平面介质膜DBR；所述激光器还包括：设置于曲面介质膜DBR一侧的平面基板；所述平面基板用于支撑所述氮化镓基垂直腔...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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