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本发明一种高密度存储阵列，属于存储器和CMOS混合集成电路技术领域。该阵列由K个高密度存储单元平行排列构成，每个存储单元包括选N个通晶体管、N*M个二端存储器件、一条源线、一条字线和N*M条位线，N个选通晶体管通过将前一个选通晶体管的漏端连...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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