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本发明涉及一种移位寄存器及其栅极驱动装置。移位寄存器包括直接沉积在阵列基板上的六个薄膜晶体管，其中第一薄膜晶体管的栅极与源极之间设置电容，其漏极与第一时钟信号输出端连接；第二薄膜晶体管的栅极与第三薄膜晶体管的栅极连接；第四薄膜晶体管的栅极与...
该专利属于北京京东方光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京京东方光电科技有限公司授权不得商用。

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