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本发明公开了一种纳米环栅ＭＯＳＦＥＴ晶体管及其制备方法。该方法依次包括如下步骤：在衬底上生长隔离层，背栅介质层及隔离层，光刻该介质层之上的隔离层，得到背栅电极的图形，淀积牺牲侧壁介质层，致密，于该层光刻１００纳米以内、半圆形截面的线条，淀积...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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