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本发明提供一种超导电路基板结构及其制备方法,包括以下步骤:提供一包括相对设置的第一面及第二面的硅基板,形成贯穿硅基板且开口位于第一面及第二面上的贯穿孔,自第一面与第二面中至少一面扩大贯穿孔的开口以得到内壁倾斜的通孔;形成覆盖通孔内壁及第一面...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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本发明提供一种超导电路基板结构及其制备方法,包括以下步骤:提供一包括相对设置的第一面及第二面的硅基板,形成贯穿硅基板且开口位于第一面及第二面上的贯穿孔,自第一面与第二面中至少一面扩大贯穿孔的开口以得到内壁倾斜的通孔;形成覆盖通孔内壁及第一面...