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本发明一种高性能铟砷／镓砷量子点材料有源区的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选择一衬底；步骤２：在该衬底上生长一层缓冲层；步骤３：在缓冲层上生长铟砷量子点；步骤４：以低于铟砷量子点生长温度的条件，在铟砷量子点上淀积盖层初始部...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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