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具有混合集成环境屏障结构的MEMS压力换能器芯片及其制造方法技术
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下载具有混合集成环境屏障结构的MEMS压力换能器芯片及其制造方法的技术资料
文档序号:41576233
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本公开涉及一种用于制造具有混合集成环境屏障结构(150)的MEMS压力换能器芯片(100)的方法,该方法包括以下步骤:提供包括至少一个膜(120)的基板(110);向基板(110)中构造阶梯状凹陷结构(130),阶梯状凹陷结构(130)包括...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。
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