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本发明公开一种基于GaN HEMT结终端的SiC肖特基二极管，涉及微电子技术领域，包括SiC衬底，以及制备在SiC衬底上的由GaN缓冲层、第二AlN插层、AlGaN势垒层和GaN帽层构成的GaN HEMT结终端，由SiC衬底、n<su...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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