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本发明属于集成电路领域，涉及一种高压ESD版图结构，包括：由浅沟槽划分的高压NMOS管区域和二极管区域；高压NMOS管区域包括高压NMOS管和高压识别层；高压识别层放置在划分高压NMOS管区域的浅沟槽内且与此浅沟槽尺寸同比例；高压NMOS管...
该专利属于北京时代民芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京时代民芯科技有限公司授权不得商用。

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