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提供了一种集成电路、其制备方法、功率放大器及电子设备，集成电路包括：衬底(1)，位于衬底(1)之上的第一成核层(2)，位于第一成核层(2)之上的缓冲层(3)，位于缓冲层(3)上的沟道层(4)，位于沟道层(4),之上的势垒层(5)，分别位于势...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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