集成电路、其制备方法、功率放大器及电子设备技术

提供了一种集成电路、其制备方法、功率放大器及电子设备，集成电路包括：衬底(1)，位于衬底(1)之上的第一成核层(2)，位于第一成核层(2)之上的缓冲层(3)，位于缓冲层(3)上的沟道层(4)，位于沟道层(4),之上的势垒层(5)，分别位于势垒层(5)之上的源极(6)、漏极(7)和栅极(8)；其中，通过使得缓冲层(3)的位错密度小于1e8cm<supgt;‑2</supgt;，可以提升晶体质量，得到更高质量的外延生长材料，以提升集成电路的器件性能和长期可靠性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡彬，段焕涛，倪茹雪，朱敏，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：