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本发明公开了一种集成栅极电阻的SGT器件及其制备方法，属于半导体技术领域，SGT器件包括衬底、在衬底上内凹的沟槽，沟槽内自下而上依次堆叠介质氧化层、屏蔽栅多晶硅、隔离氧化层、栅极多晶硅、氮化硅隔离层和电阻多晶硅；栅极多晶硅与沟槽内壁之间设置...
该专利属于江西萨瑞微电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西萨瑞微电子技术有限公司授权不得商用。

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