温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种埋栅式存储器及其制造方法。该存储器包括：p型阱和n型阱，n型阱形成在p型阱上方；U形槽，其贯穿n型阱，底部位于p型阱中；栅介质层，其覆盖U形槽的底部和U形槽的下部的侧壁，并在一侧侧壁处形成窗口；半浮栅，其覆盖栅介质层并填充U形...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。