【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种埋栅式存储器及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体集成电路器件特征尺寸的不断缩小，传统1t1c结构的dram面临着越来越多的挑战，如64ms的刷新时间，并且需要电容保持在一定数值之上来保证足够的电荷保持时间。但随着集成电路特征尺寸的缩小，大电容的制造越来越困难，且占据了巨大的制造成本。为了克服传统1t1c dram微缩瓶颈，新型无电容dram结构成为目前存储技术研究的热点。
2、半浮栅晶体管(sfgt)作为一种新型的无电容存储器件，具有擦写速度快、操作电压低、数据保持能力强等优点。然而随着技术的不断发展及市场需求的驱动，半浮栅存储单元设计也必须满足高集成度及高密度的要求。对于我们目前已提出的半浮栅器件结构，其一个存储单元相当于1.5个晶体管(1.5t)，单元面积相对较大，其在持续微缩过程中具有一定的局限性。另外，在存储单元持续微缩的过程中，我们也需保证其基本性能。
3、因此，目前亟须一种能够持续微缩且能兼顾其性能的半浮栅存储单元。
技术实现思路>
1、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种埋栅式存储器，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的埋栅式存储器，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的埋栅式存储器，其特征在于，
4.一种埋栅式存储器制造方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的埋栅式存储器制造方法，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的埋栅式存储器制造方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的埋栅式存储器制造方法，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的埋栅式存储器制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种埋栅式存储器，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的埋栅式存储器，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的埋栅式存储器，其特征在于，
4.一种埋栅式存储器制造方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述...
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